한국정보통신학회 논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)
Current Result Document : 1 / 1
| 한글제목(Korean Title) |
N-doped ZnO 박막의 미세 구조 특성 |
| 영문제목(English Title) |
Nano-structural Characteristics of N-doped ZnO Thin Films |
| 저자(Author) |
이은주
Ruirui Zhang
박재돈
윤기완
Eunju Lee
Ruirui Zhang
Jaedon Park
Giwan Yoon
|
| 원문수록처(Citation) |
VOL 13 NO. 11 PP. 2385 ~ 2390 (2009. 11) |
한글내용
(Korean Abstract) |
본 연구에서는 C-축 우선 배향 특성을 가지는 N-doped ZnO 박막을 증착하고 그 미세구조의 특성을 분석 비교하였다. ZnO 박막은 N2O 가스 분위기에서 RF reactive magnetron sputtering 시스템을 사용하여 p-Si(100) 웨이퍼 위에 증착되었다. N2O 가스는 N doping source로 사용되었으며, 전체 가스 유량에 대한 N2O 가스의 비율 N2O/(N2O Ar)과 증착 전력을 증착의 주요 공정 변수로 선택하여 다양한 가스 비율과 증착 전력에 대한 박막의 미세 구조 특성을 비교 분석하였다. 특히, Auger electron spectroscopy (AES)를 이용하여 ZnO 박막 내에 들어가 존재하는 불순물 N의 수직분포를 분석하였고, 여러 가지 증착 조건에서 제작된 ZnO 박막의 표면형상 및 미세구조 특성을 Scanning Electron Microscope (SEM)를 이용하여 분석하였다.
|
영문내용
(English Abstract) |
N-doped ZnO thin films with c-axis preferred orientation were prepared on p-Si(100) wafers, using an RF magnetron sputter deposition. For ZnO deposition, N2O gas was employed as a dopant source and various deposition conditions such as N2O gas fraction and RF power were applied. The depth pofiles of the nitrogen [N] atoms incorporated into the ZnO thin films were investigated by Auger Electron Spectroscopy (AES) and the nano-scale structural characteristics of the N-doped ZnO thin films were also investigated by a scanning electron microscope (SEM) technique.
|
| 키워드(Keyword) |
ZnO 박막
N-doped ZnO
p-type ZnO
나노 스케일 박막
고주파 마그네트론 스퍼터
ZnO thin films
N-doped ZnO
p-type ZnO
nano-thin film
RF magnetron sputtering
|
| 파일첨부 |
PDF 다운로드
|
