| 한글제목(Korean Title) |
Power Management IC용 One-Time Programmable Memory Cell 설계 |
| 영문제목(English Title) |
Design of a One-Time Programmable Memory Cell for Power Management ICs |
| 저자(Author) |
전황곤
여억녕
김려연
김두휘
장지혜
이재형
하판봉
김영희
Hwang-Gon Jeon
Yi-Ning Yu
Li-Yan Jin
Du-Hwi Kim
Ji-Hye Jang
Jae-Hyung Lee
Pan-Bong Ha
Young-Hee Kim
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 14 NO. 02 PP. 0084 ~ 0087 (2010. 10) |
한글내용
(Korean Abstract) |
본 논문에서는 power management IC에 사용되는 아날로그 트리밍용 antifuse OTP 셀을 제작하였다. VPP (=7V)와 VNN (=-5V)의 Dual program voltage를 이용하는 antifuse OTP 셀은 antifuse 양단에 hard breakdown 이상의 전압을 인가하여 thin gate oxide를 breakdown시킨다. 0.18㎛ BCD 공정을 이용하여 제작된 antifuse OTP 셀의 면적은 48.01㎛2으로 eFuse OTP 셀 면적의 44.6% 수준이다. 20개의 테스트 패턴을 측정한 결과 프로그램 후 antifuse의 저항은 수 kΩ 이하로 양호하게 측정되었다.
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영문내용
(English Abstract) |
We manufacture an antifuse OTP (One-time programmable) cell for analog trimming which will be used in power management ICs. For the antifuse cell using dual program voltage of VPP (=7V) and VNN (=-5V), the thin gate oxide is broken down by applying a voltage higher than the hard break-down voltage to the terminals of the antifuse. The area of the manufactured antifuse OTP cell using 0.18㎛ BCD process is 48.01㎛2 and is about 44.6 percent of that of an eFuse cell. The post-program resistances of the antifuse are good with the values under several kilo ohms when we measure twenty test patterns.
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| 키워드(Keyword) |
Antifuse OTP cell
post-program resistance
power management IC
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