2014년 추계학술대회
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| 한글제목(Korean Title) |
실리콘 나노와이어 MOSFET’s의 채널 길이와 폭에 따른 아날로그 특성 |
| 영문제목(English Title) |
Silicon Nano wire Gate-all-around SONOS MOSFET’s analog performance by width and length |
| 저자(Author) |
권재협
서지훈
최진형
박종태
Jae-hyup Kwon
Ji-hoon Seo
Jin-hyung Choi
Jong-tae Park
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 18 NO. 02 PP. 0773 ~ 0776 (2014. 10) |
한글내용
(Korean Abstract) |
본 연구에서는 채널 길이와 폭의 변화에 따른 실리콘 나노와이어 MOSFET 소자의 아날로그 특성을 비교 분석 하였다. 측정 온도는 30℃, 50℃, 75℃, 100℃이다. 사용된 소자의 폭은 20nm, 30nm, 80nm, 130nm 와 길이는 250nm, 300nm, 250nm, 500nm을 사용하였다. 소자의 아날로그 특성은 이동도, 트랜스컨덕턴스, Early 전압, 전압이득, 드레인 전류 이다. 이동도는 폭이 증가함에 따라 증가하고 길이와 온도가 증가할수록 감소한다. 트랜스 컨덕턴스는 폭이 증가하면 증가한다. Early 전압은 길이와 온도가 증가함에 따라 증가하고 폭이 증가함에 따라 감소한다. 따라서 이득은 폭의 감소와 길이가 증가함에 따라 증가하고 온도가 증가함에 따라 감소하는 것을 알 수 있었다. |
영문내용
(English Abstract) |
In this work, analog performances of silicon nanowire MOSFET with different length and channel width have been measured. The channel widths are 20nm, 30nm, 80nm, 130nm and lengths are 250nm, 300nm, 350nm, 500nm. temperatures 30℃, 50℃, 75℃, 100℃ have been measured. The trans-conductance, early voltage, gain, drain current and mobility have been characterized as a function of temperature. The mobility has been enhanced with wider channel width but it has been reduced with longer length and higher temperature. The trans-conductance has been increased with wider channel width. The early voltage has been enhanced with increase of gate length and temperature but it has been reduced with wider width. Therefore, gain has been enhanced with increase of gate longer length and wider width but it has been reduced with higher temperature. |
| 키워드(Keyword) |
나노와이어
아날로그 특성
트랜스 컨덕턴스
Early 전압
게이트 커패시턴스
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