2012년 추계학술대회
Current Result Document :
| 한글제목(Korean Title) |
저전압 EEPROM IP용 DC-DC Converter 설계 |
| 영문제목(English Title) |
Design of DC-DC Converter for Low-Voltage EEPROM IPs |
| 저자(Author) |
장지혜
최인화
박영배
김려연
하판봉
김영희
Ji-Hye Jang
In-Hwa Choi
Young-Bae Park
Liyan Jin
Pan-Bong Ha
Young-Hee Kim
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 16 NO. 02 PP. 0852 ~ 0855 (2012. 10) |
한글내용
(Korean Abstract) |
본 논문에서는 FN(Fowler-Nordheim) 터널링 방식에 의한 program 동작과 band-to-band 터널링 방식에 의한 erase 동작을 수행하는 EEPROM IP용 DC-DC converter를 설계하였다. 로직전압으로 1.5V±10%의 저전압을 사용하는 EEPROM IP용 DC-DC converter는 charge pump 회로의 pumping stage 수와 pumping capacitance를 줄이기 위해 입력 전압으로 VDD 대신 VRD(Read Voltage)을 전압을 사용하는 방식을 제안하였다. VRD(=3.1V±0.1V)는 5V의 external supply voltage를 voltage regulator 회로를 이용하여 regulation된 전압이다. 설계된 DC-DC converter는 write 모드에서VPP(=8V)와 VNN(=-8V)의 전압을 출력한다. |
영문내용
(English Abstract) |
A DC-DC converter for EEPROM IPs which perfom erasing by the FN (Fowler-Nordheim) tunneling and programming by the band-to-band tunneling is designed in this paper. For the DC-DC converter for EEPROM IPs using a low voltage of 1.5V±10% as the logic voltage, a scheme of using VRD (Read Voltage) instead of VDD is proposed to reduce the pumping stages and pumping capacitances of its charge pump circuit. VRD (=3.1V±0.1V) is a regulated voltage by a voltage regulator using an external voltage of 5V. The designed DC-DC converter outputs VPP (=8V) and VNN (=-8V) in the write mode.
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| 키워드(Keyword) |
EEPROM
band-to-band tunneling
DC-DC
charge pump
low-voltage
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