2013년 추계학술대회
Current Result Document :
| 한글제목(Korean Title) |
NVM IP용 저전압 기준전압 회로 설계 |
| 영문제목(English Title) |
Design of Low-Voltage Reference Voltage Generator for NVM IPs |
| 저자(Author) |
김명석
정우영
박헌
하판봉
김영희
Meong-Seok Kim
Woo-Young Jeong
Heon Park
Pan-Bong Ha
Young-Hee Kim
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 17 NO. 02 PP. 0375 ~ 0378 (2013. 10) |
한글내용
(Korean Abstract) |
본 논문에서는 EEPROM이나 MTP 등의 NVM 메모리 IP 설계에 필요로 하는 PVT(Process-Voltage-Temperature) 변동에 둔감한 기준전압(Reference Voltage) 회로를 설계하였다. 매그나칩반도체 0.18μm EEPROM 공정을 이용하여 설계된 BGR(Bandgap Reference Voltage) 회로는 wide swing을 갖는 캐스코드 전류거울 (cascode current-mirror) 형태의 저전압 밴드갭 기준전압발생기 회로를 사용하였으며, PVT 변동에 둔감한 기준전압 특성을 보이고 있다. 최소 동작 전압은 1.43V이고 VDD 변동에 대한 VREF 민감도(sensitivity)는 0.064mV/V이다. 그리고 온도 변동에 대한 VREF 민감도는 20.5ppm/oC이다. 측정된 VREF 전압은 평균 전압이 1.181V이고 3σ는 71.7㎷이다.
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영문내용
(English Abstract) |
A reference voltage generator which is insensitive to PVT (process-voltage-temperature) variation necessary for NVM memory IPs such as EEPROM and MTP memories is designed in this paper. The designed BGR (bandgap reference voltage) circuit based on MagnaChip’s 0.18μm EEPROM process uses a low-voltage bandgap reference voltage generator of cascode current -mirror type with a wide swing and shows a reference voltage characteristic insensitive to PVT variation. The minimum operating voltage is 1.43V and the VREF sensitivity against VDD variation is 0.064mV/V. Also, the VREF sensitivity against temperature variation is 20.5ppm/oC. The VREF voltage has a mean of 1.181V and its three sigma (3σ) value is 71.7㎷.
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| 키워드(Keyword) |
NVM
reference voltage
PVT
cascode current-mirror
low-voltage
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