2019년 추계학술대회
Current Result Document :
| 한글제목(Korean Title) |
터널링 다이오드를 포함한 터널 트랜지스터 |
| 영문제목(English Title) |
Tunnel Field-Effect Transistor with Tunnel Diode |
| 저자(Author) |
이수호
유윤섭
Su Ho Lee
Yun Seop Yu
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 23 NO. 02 PP. 0534 ~ 0535 (2019. 10) |
한글내용
(Korean Abstract) |
터널 다이오드를 포함한 터널 전계 효과 트렌지스터(tunnel field-effect transistor; TFET)을 제안한다. 이 소자는 소스(p+), 채널(i), 드레인(n) 물질로 구성되고, 소스와 채널 사이에 터널 다이오드가 있는 터널 전계 효과 트랜지스터이다. p-n 구조는 소스의 전도 대역으로부터 플로팅 채널의 가전자대역까지 BTBT가 발생하기 때문에 터널리링 다이오드로 동작하고 p-n 구조는 가전자대에서 전도대 때문에 게이트 터널 다이오드로 모델링할 수 있다.
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영문내용
(English Abstract) |
Tunnel field-effect transistors (TFETs) including tunnel diode was proposed. This device consists of source(p ), channel(i), and drain(n) material, and is TFET with tunnel diode between source and channel. Because the p-n structure generates BTBT from the conduction band of the source to the valance band of the floating channel, it operates as a tunneling diode and the p-n structure can be modeled as a gate tunnel diode. |
| 키워드(Keyword) |
Tunnel field effect transistor
band-to-band tunneling
tunnel diode
silicon-on-insulator
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