한국정보통신학회 논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)
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| 한글제목(Korean Title) |
Co-sputtering법으로 제작한 ZnTe 태양전지의 특성 |
| 영문제목(English Title) |
Characteristics of the ZnTe solar cell by the co-sputtering methods |
| 저자(Author) |
장유진
김성우
최혁환
이명교
권태하
Yu-jin Chang
Sung-woo Kim
Hyek-hwan Choi
Myoung-kyo Lee
Tae-ha Kwon
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 08 NO. 02 PP. 0440 ~ 0448 (2004. 04) |
한글내용
(Korean Abstract) |
본 논문에서는 II-Vl족의 ZnTe 화합물반도체 태양전지를 제작하기 위하여 투명전극(AZO) 및 Buffer layer(ZnO)의 특성과 태양전지의 효율에 가장 큰 영향을 미치는 광흡수층의 에너지밴드갭을 줄이는 연구를 하였다. ZnTe박막은 Zn(Zinc)과 Te(Tellurium)를 co-sputtering법을 이용하여 증착하였다. ZnTe 박막은 Zn과 Te의 RF power를 각각 50W, 30W로 하여 10mTorr의 Ae 분위기에서 200℃의 기판온도로 제작되었으며, 이때의 에너지밴드갭은 1.73eV였다. 이렇게 제작된 박막을 진공상태에서 400℃의 온도로 10초간 열처리하여 1.67eV의 에너지밴드갭을 얻을 수 있었고, 이때의 Zn과 Te의 비율은 32%:68%였다. 최적의 조건에서 태양전지는 6.85% (Voc:0.69V, Jsc:21.408㎃/㎠, Fill Factor (FF):0.46)의 효율을 얻을 수 있었다.
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영문내용
(English Abstract) |
In this paper, to make a solar cell of II-Ⅵ ZnTe compound semiconductor, we studied for the property of the transparent electrode(AZO) and Buffer layer(ZnO), and for reducing the energyband gap of optical absorber layer which are most effective on its efficiency. The ZnTe thin film was used the optical absorber layer of solar cell. Zn and Te were deposited using the co-sputtering method. The thin film was sputtered RF power of Zn/50W and Te/30W, respectively and a substrate temperature of 200℃ under Ar atmosphere of 10mTorr. The energy band gap of the thin film was 1.73ev Then the thin film was annealed at 400℃ for 10sec under a vacuum atmosphere. The energy band gap of 1.67eV was achieved and the film composition ratio of Zn and Te was 32% and 68%. At the best condition, the Solar Cell was manufactured and the efficiency of 6.85% (Voc: 0.69V, Jsc: 21.408㎃/㎠, Fill factor (FF): 0.46) was achieved |
| 키워드(Keyword) |
ZnTe thin film
co-sputtering
solar cell
energyband gap
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