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| 한글제목(Korean Title) |
SSD Emulator FEMU를 통한 Retention Error 모델링 |
| 영문제목(English Title) |
Retention Error Modeling using FEMU SSD Emulator |
| 저자(Author) |
이정원
GUANGXUN ZHAOO
최종무
Jeoungwon Lee
Jongmoo Choi
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 49 NO. 01 PP. 1528 ~ 1530 (2022. 06) |
한글내용
(Korean Abstract) |
최근 다양한 환경의 저장 장치로서 SSD를 사용한다. SSD는 내부 Cell 특성 상 FTL 같은 많은 기법들이 도입 되었다. 이를 위해 실제 SSD 내부를 실험하기엔 제조사 협력뿐만 아니라 시간과 돈이 많이 필요하여 SSD 에뮬레이터를 이용하고 있다. FEMU는 2018년 발표한 QEMU 기반 SSD 에뮬레이터이다. 커널, NVMe, 내부 SSD 관련한 많은 실험이 가능하지만 SSD 실험을 대체하기 위한 에뮬레이터임에도 불구하고 Flash Cell 특성들이 구현되어 있지 않아 관련 실험들은 제약이 따른다. Flash Cell 특성으로 일어나는 error는 Retention error, Read & Write disturb, Wear out이 있으며 본 논문에서는 기존 연구 안에서 이러한 Flash Cell 특성들을 분석한 뒤 Flash Cell 모델링 구조를 제시한다. 벤치마크 실험 결과 실제 SSD와 Error 비율이 동일한 경향을 보였다. |
영문내용
(English Abstract) |
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