저 편광의존성을 가지는 반도체 광증폭기의 제작에 관한 연구

황상구; 김정호; 김운섭; 김동욱; 박윤호; 홍창의; Sang-Ku Hwang; Jeong-Ho Kim; Weoun-Seb Kim; Dong-Ook Kim; Yoon-Ho Park; Tchang-Hee Hong

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한국정보통신학회 논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)

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한글제목(Korean Title)	저 편광의존성을 가지는 반도체 광증폭기의 제작에 관한 연구
영문제목(English Title)	A study on the fabrication of the polarization-insensitive semiconductor optical amplifier
저자(Author)	황상구 김정호 김운섭 김동욱 박윤호 홍창의 Sang-Ku Hwang Jeong-Ho Kim Weoun-Seb Kim Dong-Ook Kim Yoon-Ho Park Tchang-Hee Hong
원문수록처(Citation)	VOL 04 NO. 05 PP. 1135 ~ 1142 (2000. 12)
한글내용 (Korean Abstract)	본 연구에서는 1.55um 대역의 편광비의존성을 가지는 반도체 광증폭기를 제작하기 위하여 InGaAsP/InP 이중이종접합 웨이퍼를 이용하여 정방매립형 반도체 광증폭기(SOA)를 제작하였다. 제작된 반도체 광증폭기의 특성을 측정한 결과 3㏈대역폭은 35nm이었으며, 3dB포화출력은 4dBm이었다. ISOmA의 CW구동에서 최대이득은 19.4dB이었다. 반도체 광증폭기의 ASE power를 ASE측정시스템을 이용하여 TE, TM모드에 대하여 측정한 결과 최대이득을 나타내는 영역부근에서 TE 및 TM모드의 분포가 거의 일치하였다. 따라서 본 연구에서 제작된 반도체 광증폭기는 비편광의존성 SOA임을 실험적으로 확인하였다.
영문내용 (English Abstract)	In this study, we fabricated a 1.55um polarization-insensitive semiconductor optical amplifier(SOA) with rectangular buried heterostructure using a InGaAsP/InP double heterostructure wafer. Measured characteristics of the fabricated SOA are that 3dR bandwidth is 35nm and 3dB saturation output power is 4dBm. Maximum gain under the 150mA CW driving condition is 19.4dB. We measured the ASE(amplified spontanouse emission) Power spectrum or n and TM mode in the fabricated SOA using ASE measurement system and knew that distributions of the TE and TM mode about the maxinum region are nearly coincident. this shows the fabricated SOA is a polarization-insensitive.
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