정보처리학회 논문지 컴퓨터 및 통신시스템
Current Result Document :
| 한글제목(Korean Title) |
임베디드 NAND-형 플래시 메모리를 위한 Built-In Self Repair |
| 영문제목(English Title) |
Built-In Self Repair for Embedded NAND-Type Flash Memory |
| 저자(Author) |
김태환
장훈
Tae Hwan Kim
Hoon Chang
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 03 NO. 05 PP. 0129 ~ 0140 (2014. 05) |
한글내용
(Korean Abstract) |
기존의 메모리에서 발생하는 다양한 고장들을 검출하기 위한 기법으로 BIST(Built-in self test)가 있고 고장이 검출되면 Spare를 할당하여 수리하는 BIRA(Built-in redundancy analysis)가 있다. 그리고 BIST와 BIRA를 통합한 형태인 BISR(Built-in self repair)를 통해 전체 메모리의 수율을 증가시킬 수 있다. 그러나 이전에 제안된 기법들은 RAM을 위해 제안된 기법으로 RAM의 메모리 구조와 특성이 다른 NAND-형 플래시 메모리에 사용하기에는 NAND-형 플래시 메모리의 고유 고장인 Disturbance를 진단하기 어렵다. 따라서 본 논문에서는 NAND-형 플래시 메모리에서 발생하는 Disturbance 고장을 검출하고 고장의 위치도 진단할 있는 BISD(Built-in self diagnosis)와 고장 블록을 수리할 수 있는 BISR을 제안한다.
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영문내용
(English Abstract) |
BIST(Built-in self test) is to detect various faults of the existing memory and BIRA(Built-in redundancy analysis) is to repair detected faults by allotting spare. Also, BISR(Built-in self repair) which integrates BIST with BIRA, can enhance the whole memory’s yield. However, the previous methods were suggested for RAM and are difficult to diagnose disturbance that is NAND-type flash memory’s intrinsic fault when used for the NAND-type flash memory with different characteristics from RAM’s memory structure. Therefore, this paper suggests a BISD(Built-in self diagnosis) to detect disturbance occurring in the NAND-type flash memory and to diagnose the location of fault, and BISR to repair faulty blocks.
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| 키워드(Keyword) |
NAND-형 플래시 메모리
BISD
BISR
진단 알고리즘
중복 분석
NAND-type Flash Memory
BISD
BISR
Diagnosis Algorithm
Redundancy Analysis
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