Current Result Document :
| 한글제목(Korean Title) |
멀티 레벨 셀 Flash 메모리의 채널 용량 분석 |
| 영문제목(English Title) |
Channel Capacity of Multi-level Cell in Flash Memory |
| 저자(Author) |
유근영
문재균
이용훈
김용준
손홍락
공준진
Geunyeong Yu
Jaekyun Moon
Yong H. Lee
Young jun Kim
Hongrak Son
Jun jin Kong
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 21 NO. 01 PP. 1D ~ 0005 (2011. 04) |
한글내용
(Korean Abstract) |
멀티 레벨 셀 flash 메모리의 프로그래밍/읽기 방법은 셀의 레벨을 정하는 과정을 한번에 수행하는 경우와 셀에 저장되는 bit단위로 순차적으로 적용하는 두 가지 방법이 있다. 이 때 프로그래밍 시의 셀간 간섭을 상대적으로 적게 받는 순차적인 방법이 선호되는데, 이 경우 다중 입/출력 채널을 병렬의 이진(binary) 채널로 나누어 전송하게 되어 채널 용량에 손실이 발생하게 된다. 본 논문에서는 이 때 채널용량 손실 정도를 확인하고 경출력 사용시 추가적인 양자화가 채널 용량 손실을 얼마만큼 극복 할 수 있는지에 대해 확인해 본다.
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영문내용
(English Abstract) |
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| 키워드(Keyword) |
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