선형성이 향상된 GHz 대역 저잡음증폭기

성명우; 천재일; 최예지; 길근필; 김신곤; 무로드 쿠르바노프; 델워 타헤신 사미라; 시디크 아브라르; 파랑야다시니 베헤라; 류지열; 노석호; 윤민; Myeong-U Sung; Jae-Il Chun; Ye-Ji Choi; Keun-Pil Kil; Shin-Gon Kim; Murod Kurbanov; Delwar Tahesin Samira; Abrar Siddique; Prangyadarsini Behera; Jee-Youl Ryu; Seok-Ho Noh; Min Yoon

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2019년 추계학술대회

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한글제목(Korean Title)	선형성이 향상된 GHz 대역 저잡음증폭기
영문제목(English Title)	GHz-Band Low Noise Amplifier with Improved Linearity
저자(Author)	성명우 천재일 최예지 길근필 김신곤 무로드 쿠르바노프 델워 타헤신 사미라 시디크 아브라르 파랑야다시니 베헤라 류지열 노석호 윤민 Myeong-U Sung Jae-Il Chun Ye-Ji Choi Keun-Pil Kil Shin-Gon Kim Murod Kurbanov Delwar Tahesin Samira Abrar Siddique Prangyadarsini Behera Jee-Youl Ryu Seok-Ho Noh Min Yoon
원문수록처(Citation)	VOL 23 NO. 02 PP. 0668 ~ 0670 (2019. 10)
한글내용 (Korean Abstract)	본 논문은 선형성이 향상된 GHz 대역 저잡음증폭기를 제안한다. 선형성 향상을 증명하기 위해 이러한 회로는 TSMC 0.13-μm 혼성신호/고주파 BiCMOS SiGe 공정(fT/fMAX=120/140GHz)으로 구현하였다. 또한, 이러한 증폭기는 2.4GHz의 동작주파수에 동작하도록 설계되어 있다. 높은 선형성을 확보하기 위해 MBDS 기법을 이용하였다. 제안하는 저잡음증폭기는 최근 발표된 연구결과와 비교해볼 때 27.6dBm의 가장 높은 IIP3 특성을 보였다.
영문내용 (English Abstract)	This paper presents GHz-band low noise amplifier(LNA) with improved linearity. To verify linearity improvement, the circuit is fabricated using TSMC 0.13-μm mixed signal/RF BiCMOS SiGe process(fT/fMAX=120/140GHz). This amplifier also operates at the frequency of 2.4GHz. We used the MOS-BJT derivative superposition(MBDS) technique to achieve high linearity. The proposed LNA showed the highest IIP3 of 26.7dBm as compared to recently published results.
키워드(Keyword)	GHz-band low noise amplifier(LNA) linearity MOS-BJT derivative superposition(MBDS)
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